一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜及其制备方法[CN201910661891.8] - 浙江工业大学

专利申请

2019-07-22
公布公告

2020-02-11
授权日期

2021-06-15
终止

2030-02-08

一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201910661891.8 申请日期： 2019-07-22 专利主类别： C23C14/35 {{ classMap["C23C14/35"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

C23C14/35 : 利用磁场的，例如磁控溅射

C23C14/02 : 待镀材料的预处理

C23C14/06 : 以镀层材料为特征的

专利注册信息

初审公告期号	2019-07-22	初审公告日期	2020-02-11
注册公告期号	2021-06-15	注册公告日期	2021-06-15
专用权期限	2020-02-11 - 2030-02-08	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州杭诚专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及薄膜材料技术领域，为解决传统DLC薄膜与基体材料的结合强度较差、降低应力提高结合强度又会导致耐磨性能下降的问题，提供了一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜，包括基体(1)、依次沉积于基体表面的金属过渡层(2)和纳米多层膜，所述纳米多层膜由若干纳米复合单元(3)组成，所述纳米复合单元由下至上依次为DLC层(4)，第一梯度CNx层(5)，金属氮化物层(6)和第二梯度CNx层(7)。本发明的纳米多层膜有效改善了传统沉积方法膜基结合力不高的问题，同时降低了内应力，并且有优良的耐磨性；制备方法步骤简单，工艺条件易于控制，制备过程安全无污染，成本低，易于实现产业化。

法律进度