一种新颖纳米周期阵列及其制备方法[CN201811406683.5] - 杭州电子科技大学

专利申请

2018-11-23
公布公告

2020-11-13
授权日期

2020-11-13
终止

2030-11-11

一种新颖纳米周期阵列及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201811406683.5 申请日期： 2018-11-23 专利主类别： C23C14/35 {{ classMap["C23C14/35"] }}

申请人名称：杭州电子科技大学

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申请人地址：浙江省杭州市江干区下沙高教园区

专利分类项目

C23C14/35 : 利用磁场的，例如磁控溅射

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2018-11-23	初审公告日期	2020-11-13
注册公告期号	2020-11-13	注册公告日期	2020-11-13
专用权期限	2020-11-13 - 2030-11-11	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州杭诚专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种新颖纳米周期阵列及其制备方法。本发明克服了传统制备周期性结构的物理方法和化学腐蚀方法适用范围较小，并且不能精确地在纳米尺度设计周期阵列的图案的缺陷，创新性的利用了对局域表面等离子体的调控实现了Ag纳米粒子的特定位置的生长，并通过入射光的偏振类型和偏振角度的改变来获得不同的周期性结构。在垂直入射圆偏振光的条件下，成功制备出了六轴对称的周期性结构；在线偏振光倾斜50°入射条件下，制备出了三轴对称的纳米周期性结构。该制备方法为周期性结构的制备提供了一种新的思路，同时具有制备方法简单，能够有效的被大规模复制应用的优点。

法律进度