一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法[CN201811611848.2] - 浙江工业大学

专利申请

2018-12-27
公布公告

2019-04-12
授权日期

2020-11-24
终止

2029-04-09

一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201811611848.2 申请日期： 2018-12-27 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：浙江工业大学

查看申请人名下所有专利

申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

C23C8/24 : 渗氮

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2018-12-27	初审公告日期	2019-04-12
注册公告期号	2020-11-24	注册公告日期	2020-11-24
专用权期限	2019-04-12 - 2029-04-09	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州杭诚专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及纳米复合结构技术领域，为解决现有技术无法以高效简洁的方法制备氮化钛铌纳米管阵列的问题，本发明提供了一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法。所述方法包括：1)对钛铌合金进行表面处理；2)以经过预处理的钛铌合金作为阳极、石墨作为阴极，置于电解液中在恒电压条件下进行阳极氧化；3)将阳极氧化后的钛铌合金置于空气中进行退火处理；4)将经过退火的钛铌合金置于氨气气氛中进行高温氮化，即得到氮化钛铌纳米管阵列。本发明制备方法简洁高效，生产成本低，通过阳极氧化可制备具有良好形貌特征的纳米管阵列结构，进一步通过氮化处理大幅提高了纳米管阵列的导电性和耐腐蚀性，在多功能电极材料载体方面具有重要应用前景。

法律进度