一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法[CN201711235920.1] - 浙江工业大学

专利申请

2017-11-30
公布公告

2018-05-15
授权日期

2019-04-09
终止

2028-05-12

一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201711235920.1 申请日期： 2017-11-30 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：浙江工业大学

查看申请人名下所有专利

申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2017-11-30	初审公告日期	2018-05-15
注册公告期号	2019-04-09	注册公告日期	2019-04-09
专用权期限	2018-05-15 - 2028-05-12	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州天正专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明提供了一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法，以金属钨为基底，在含有离子液体的有机溶剂电解液中，采用电化学阳极氧化法制得了纳米尺度的片状结构三氧化钨粉末材料，通过控制电解液组分，反应温度，氧化电压和氧化时间得到不同尺寸结构的氧化钨纳米片；所制得的三氧化钨纳米片结构规整，尺寸均一，具有较大的比表面积；本发明制备工艺简单、操作简便，反应设备要求低，经济高效，制得的三氧化钨纳米片粉末产量高，性质稳定，对于金属钨基体的利用率高，经济效益高，在工业化应用方面具有广阔的应用前景。

法律进度