一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法[CN201410255650.0] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2014-06-10
公布公告

2017-01-11
授权日期

2017-01-11
终止

2027-01-09

一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201410255650.0 申请日期： 2014-06-10 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

专利注册信息

初审公告期号	2014-06-10	初审公告日期	2017-01-11
注册公告期号	2017-01-11	注册公告日期	2017-01-11
专用权期限	2017-01-11 - 2027-01-09	专利类型	发明授权
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高，发射率低，成本高，对复杂形状的表面难获得均匀的涂层，工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法：一、钛合金TC4前处理；二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm～13.66μm，涂层厚度达到68.1μm～200μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96，吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。

法律进度