• 专利申请
    2013-04-01
  • 公布公告
    2013-07-10
  • 授权日期
    2016-03-02
  • 终止
    2023-07-08
一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法
一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法
* 专利信息仅供参考,不具有法律效力。 有效专利
CN201310111042.8 2013-04-01 C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}
哈尔滨工业大学 查看申请人名下所有专利
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
专利分类项目
专利注册信息
初审公告期号 2013-04-01 初审公告日期 2013-07-10
注册公告期号 2016-03-02 注册公告日期 2016-03-02
专用权期限 2013-07-10 - 2023-07-08 专利类型 发明公开
代理组织机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高,发射率低,且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法:一、打磨清洗钛合金;二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色,均匀美观。涂层厚度达到30μm~120μm,且厚度可调,由于是原位生长,故具有结合力好,抗热震性能好的特性,并且太阳吸收率为0.35~0.6,发射率为0.8~0.95,是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
法律进度
  • 2016-03-02 授权 ...

  • 2013-08-07 实质审查的生效 IPC(主分类): C25D 11/26 专利申请号: 201310111042.8 申请日: 2013. ...

  • 2013-07-10 公开 ...

同类专利
  • 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法

  • 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

  • 一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法

  • 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法

  • 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用

  • 一种在钛合金表面制备陶瓷膜/釉膜复合涂层的方法

  • 一种选区激光熔化成型钛合金的表面阳极氧化方法

  • 一种在钛合金表面制备硫掺杂异相芬顿催化剂的方法及应用

  • 一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法

  • 一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法

  • 一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法

  • 一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法

咨询该专利

您还可以
推荐专利
{{ v.name }}
取 消 确 定