一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法[CN201510586137.4] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2015-09-15
公布公告

2017-10-03
授权日期

2017-10-03
终止

2027-10-01

一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201510586137.4 申请日期： 2015-09-15 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

专利注册信息

初审公告期号	2015-09-15	初审公告日期	2017-10-03
注册公告期号	2017-10-03	注册公告日期	2017-10-03
专用权期限	2017-10-03 - 2027-10-01	专利类型	发明授权
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法，它涉及一种钛合金表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率低，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：一、钛合金前处理；二、微弧氧化，得到钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层。本发明制备的钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的厚度为20μm～30μm，膜层的粗糙度为0.5μm～3μm，太阳吸收率为0.95～0.98，发射率为0.93～0.97。本发明一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法。

法律进度