一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法[CN201810856014.1] - 浙江工业大学

专利申请

2018-07-31
公布公告

2018-12-04
授权日期

2020-05-12
终止

2028-12-01

一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201810856014.1 申请日期： 2018-07-31 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

C23C8/06 : 使用气体的

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2018-07-31	初审公告日期	2018-12-04
注册公告期号	2020-05-12	注册公告日期	2020-05-12
专用权期限	2018-12-04 - 2028-12-01	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州千克知识产权代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法，该方法以金属钨片为衬底，盐酸水溶液为电解液，采用阳极氧化法，首先得到一种由纳米片构成的三氧化钨薄膜，进一步在甲烷和氢气的混合气氛下还原碳化得到一种介孔纳米片构成的碳化钨薄膜。本发明方法制得的介孔纳米片碳化钨薄膜形貌均一，结构完整，有明显的介孔结构；此外，本发明碳化钨薄膜膜层较厚对金属钨利用率高，与金属钨衬底结合牢固，不易脱离；并且，本发明方法工艺简单，制备重复性高，对设备要求低，且所涉及化学品廉价易得，在工业应用方面有很大的前景。

法律进度