一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法[CN201711067628.3] - 浙江工业大学

专利申请

2017-11-03
公布公告

2018-03-30
授权日期

2019-10-29
终止

2028-03-27

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201711067628.3 申请日期： 2017-11-03 专利主类别： C25D11/26 {{ classMap["C25D11/26"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

专利分类项目

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

专利注册信息

初审公告期号	2017-11-03	初审公告日期	2018-03-30
注册公告期号	2019-10-29	注册公告日期	2019-10-29
专用权期限	2018-03-30 - 2028-03-27	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州天正专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，所述方法为：以经过预处理的金属钨为阳极，钛片或铂片为阴极，在电解液中，于温度为5～40℃、电压为3～15V的条件下进行恒电位阳极氧化1～7h，之后取出金属钨，清洗、干燥后即在金属钨表面制得一层介孔三氧化钨薄膜；本发明可通过控制电解液组分，阳极氧化电压和氧化时间在金属钨表面得到孔径不同的三氧化钨薄膜；所制得的三氧化钨薄膜具有显著的介孔结构，比表面积大，与金属钨基底结合牢固，不易脱落；本发明制备工艺简单、成本低廉、操作简便、效率高，在工业化应用方面具有广阔的应用前景。

法律进度