一种调控圆二色性的双层纳米结构及其制备方法[CN201711438552.0] - 陕西师范大学

专利申请

2017-12-27
公布公告

2018-06-01
授权日期

2020-03-24
终止

2028-05-29

一种调控圆二色性的双层纳米结构及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201711438552.0 申请日期： 2017-12-27 专利主类别： G03F7/20 {{ classMap["G03F7/20"] }}

申请人名称：陕西师范大学

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申请人地址：陕西省西安市长安区西长安街620号

专利分类项目

G03F7/20 : 曝光及其设备

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

B82Y20/00 : 纳米光学，例如：量子光学和光子晶体

专利注册信息

初审公告期号	2017-12-27	初审公告日期	2018-06-01
注册公告期号	2020-03-24	注册公告日期	2020-03-24
专用权期限	2018-06-01 - 2028-05-29	专利类型	发明公开
代理组织机构	西安智萃知识产权代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及一种调控圆二色性的双层纳米结构及其制备方法，双层纳米结构是由多个结构相同的金纳米单元上下、左右组合构成的双层手性结构，金纳米单元包括上层结构和下层结构，下层结构由下棒组成，上层结构包括一金属棒和位于金属棒一侧的上棒，金属棒和上棒的夹角为90°，金属棒和下棒平行放置，下棒的一端与上棒靠近金属棒的一端异面垂直；该双层纳米结构的制备方法包括准备基底、涂光刻胶、涂胶后烘干、电子束曝光结构图形、显影、定影、定影后烘干、镀金、剥离PMMA光刻胶、吹干、镀SiO2中间层等步骤。本发明的双层纳米结构产生的圆二色性效果更佳，还可以实现动态调控该结构的圆二色性信号。

法律进度