一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜及制备方法[CN202410035030.X] - 中国矿业大学

专利申请

2024-01-10
公布公告

2024-09-13
授权日期

2024-09-13
终止

2034-09-11

一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜及制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN202410035030.X 申请日期： 2024-01-10 专利主类别： C23C14/06 {{ classMap["C23C14/06"] }}

申请人名称：中国矿业大学

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申请人地址：江苏省徐州市铜山区大学路1号

专利分类项目

C23C14/06 : 以镀层材料为特征的

C23C14/35 : 利用磁场的，例如磁控溅射

C23C14/58 : 后处理

专利注册信息

初审公告期号	2024-01-10	初审公告日期	2024-09-13
注册公告期号	2024-09-13	注册公告日期	2024-09-13
专用权期限	2024-09-13 - 2034-09-11	专利类型	发明授权
代理组织机构	南京经纬专利商标代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜及制备方法，属于材料表面改性技术领域。该超薄（20~200nm）非晶碳薄膜包括非晶碳膜上配副和选择性氢化的织构非晶碳下配副，其中下配副从上到下包含表面织构层和非晶碳支撑层，表面织构层为等间距矩形织构且其凸起位置为氢化处理区域，非晶碳支撑层为非晶碳膜。该超薄非晶碳薄膜具有原子级光滑表面，并且具有高硬度、高承载、低磨损、超低摩擦和极好的摩擦稳定性，能为磁存储设备和微米或纳米电子机械系统优异的摩擦防护。

法律进度