一种透明导电薄膜及其制备方法[CN201510501833.0] - 陕西师范大学; 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

专利申请

2015-08-14
公布公告

2019-01-22
授权日期

2019-01-22
终止

2029-01-19

一种透明导电薄膜及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201510501833.0 申请日期： 2015-08-14 专利主类别： C23C14/06 {{ classMap["C23C14/06"] }}

申请人名称：陕西师范大学; 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

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申请人地址：陕西省西安市长安区西长安街620号

专利分类项目

C23C14/06 : 以镀层材料为特征的

专利注册信息

初审公告期号	2015-08-14	初审公告日期	2019-01-22
注册公告期号	2019-01-22	注册公告日期	2019-01-22
专用权期限	2019-01-22 - 2029-01-19	专利类型	发明授权
代理组织机构	西安通大专利代理有限责任公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉积多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。

法律进度