一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法[CN200910155306.3] - 浙江工业大学

专利申请

2009-12-10
公布公告

2010-06-02
授权日期

2012-06-27
终止

2022-06-25

一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN200910155306.3 申请日期： 2009-12-10 专利主类别： C23C14/06 {{ classMap["C23C14/06"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区朝晖六区

专利分类项目

C23C14/06 : 以镀层材料为特征的

C23C14/48 : 离子注入

C23C14/58 : 后处理

专利注册信息

初审公告期号	2009-12-10	初审公告日期	2010-06-02
注册公告期号	2012-06-27	注册公告日期	2012-06-27
专用权期限	2010-06-02 - 2022-06-25	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州天正专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明提供了一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法：采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子，然后对薄膜进行真空退火，即得所述n型纳米金刚石薄膜。本发明使用离子注入方法完成掺杂步骤，使注入剂量为1014～1016cm-2的磷离子或氧离子掺入到纳米金刚石晶粒和晶界中，避免了在化学气相沉积掺杂过程中杂质集中在晶界而不能进入到金刚石晶粒中的缺点；在700～1000℃下真空退火后，获得电阻率较低、Hall迁移率较高的n型纳米金刚石薄膜，对实现其在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

法律进度