一种SRAM-basedFPGA退化测试系统[CN201310351573.4] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2013-08-13
公布公告

2015-09-23
授权日期

2015-09-23
终止

2025-09-20

一种SRAM-basedFPGA退化测试系统

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201310351573.4 申请日期： 2013-08-13 专利主类别： G01R31/28 {{ classMap["G01R31/28"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

G01R31/28 : 电路的测试，例如用信号故障寻测器

专利注册信息

初审公告期号	2013-08-13	初审公告日期	2015-09-23
注册公告期号	2015-09-23	注册公告日期	2015-09-23
专用权期限	2015-09-23 - 2025-09-20	专利类型	发明授权
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种SRAM-based FPGA退化测试系统，属于电力电子技术领域。为了解决现有用于检测NBTI退化效应使FPGA产生延时量的测量系统测量精度低且进一步解决了无法同时测量多种应力的问题，本发明包括示波器、控制器、程控双路电源、辅助控制器FPGA、恒温箱、A/D转换器、被测FPGA和晶振；控制器控制辅助控制器FPGA，且辅助控制器FPGA输出的信号应力、辅助控制器FPGA通过程控双路电源输出的电压应力和通过恒温箱输出的温度应力同时施加给被测FPGA，示波器用于接收被测FPGA输出的信号。本发明主要应用在检测NBTI退化效应领域。

法律进度