金属阳离子掺杂多硫化钴/氢氧化钴复合材料及其制备方法与应用[CN202010731070.X] - 浙江工业大学

专利申请

2020-07-27
公布公告

2022-02-11
授权日期

2022-02-11
终止

2032-02-09

金属阳离子掺杂多硫化钴/氢氧化钴复合材料及其制备方法与应用

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN202010731070.X 申请日期： 2020-07-27 专利主类别： H01G11/30 {{ classMap["H01G11/30"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

专利分类项目

H01G11/30 : 以它们的材料为特征的

H01G11/24 : 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的

H01G11/86 : 特别适用于电极

C23C26/00 : 不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2020-07-27	初审公告日期	2022-02-11
注册公告期号	2022-02-11	注册公告日期	2022-02-11
专用权期限	2022-02-11 - 2032-02-09	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州天正专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明提供了一种金属阳离子掺杂多硫化钴/氢氧化钴复合材料及其制备方法；本发明采用溶剂热法，首先将金属阳离子掺杂到原位生长在泡沫镍上的钴前驱体中，该前驱体为具有分级多孔结构的二维纳米片阵列；之后通过液相硫化法制备得到自支撑的M@CoSx/Co(OH)2纳米片材料；该制备方法工艺简单、耗时短、成本低廉，制得的材料具有分级、介孔结构和较大的比表面积，提供更多的活性位点；同时有利于缩短离子的传输路径，减小电极与电解液间的界面阻力，特别是得益于金属阳离子的掺杂，有效调节其电子结构，优化材料的本征电导率，比电容量高达3500～4000F g‑1，是一种新型高性能的超级电容器电极材料。

法律进度