一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用[CN201911346431.2] - 桂林电子科技大学

专利申请

2019-12-24
公布公告

2020-03-27
授权日期

2021-04-13
终止

2030-03-25

一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201911346431.2 申请日期： 2019-12-24 专利主类别： H01G11/30 {{ classMap["H01G11/30"] }}

申请人名称：桂林电子科技大学

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申请人地址：广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

专利分类项目

H01G11/30 : 以它们的材料为特征的

H01G11/36 : 纳米结构，如纳米纤维、纳米管或富勒烯

H01G11/24 : 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的

C01B32/05 : 不包括在C01B 32/15，C01B 32/20，C01B 32/25，C01B 32/30中的碳的制备或纯化

专利注册信息

初审公告期号	2019-12-24	初审公告日期	2020-03-27
注册公告期号	2021-04-13	注册公告日期	2021-04-13
专用权期限	2020-03-27 - 2030-03-25	专利类型	发明公开
代理组织机构	--

专利介绍

本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物，然后与疏水性β环糊精形成包合物，并与氧化石墨烯稳定交联，最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点：5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构，为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件；采用溶剂热法和碳化法，工艺简单，环境友好；水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用，在0-0.4V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容可以达到500-1000F/g，且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

法律进度