一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构[CN201910834674.4] - 嘉兴博创智能传感科技有限公司

专利申请

2019-09-05
公布公告

2021-10-01
授权日期

2021-10-01
终止

2031-09-29

一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201910834674.4 申请日期： 2019-09-05 专利主类别： B01L3/00 {{ classMap["B01L3/00"] }}

申请人名称：嘉兴博创智能传感科技有限公司

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申请人地址：浙江省嘉兴市秀洲区高照街道京润大厦2405室

专利分类项目

B01L3/00 : 实验室用的容器或器皿，如实验室玻璃仪器

C12M1/34 : 用条件测量或信号传感方法测量或检验，如菌落计数器

C12M1/00 : 酶学或微生物学装置

H01L21/027 : 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜

专利注册信息

初审公告期号	2019-09-05	初审公告日期	2021-10-01
注册公告期号	2021-10-01	注册公告日期	2021-10-01
专用权期限	2021-10-01 - 2031-09-29	专利类型	发明授权
代理组织机构	--

专利介绍

本发明提供一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片结构，包括上层片基和下层片基；微流控芯片经由上层片基和下层片基共同组成。当研究人员通过使用本申请文件所设计的微流控芯片完成核酸检测后，研究人员可将两组夹紧式断裂装置放置于本申请文件所设计的微流控芯片前后两端，并给予压力，使得两组夹紧式断裂装置向内夹紧，这时两组夹紧式断裂装置中的等腰三角形凸起块将给予上层片基前后两端面所开设的第一等腰三角形缺口结构压力，在等腰三角形凸起块的作用力下，第一等腰三角形缺口结构部位同纵向激光切口结构开裂，从而断裂开保留相对于上层片基底端面基于紫外激光掩模刻蚀的微型沟道部位的上层片基区域，使得微通道破损无法再次使用。

法律进度