基于包层涂覆敏感膜的迈克尔逊干涉式硫化氢传感器[CN201910302334.7] - 重庆理工大学

专利申请

2019-04-16
公布公告

2021-07-27
授权日期

2021-07-27
终止

2031-07-25

基于包层涂覆敏感膜的迈克尔逊干涉式硫化氢传感器

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201910302334.7 申请日期： 2019-04-16 专利主类别： G01N21/45 {{ classMap["G01N21/45"] }}

申请人名称：重庆理工大学

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申请人地址：重庆市巴南区红光大道69号

专利分类项目

G01N21/45 : 利用干涉量度法，利用纹影方法

专利注册信息

初审公告期号	2019-04-16	初审公告日期	2021-07-27
注册公告期号	2021-07-27	注册公告日期	2021-07-27
专用权期限	2021-07-27 - 2031-07-25	专利类型	发明授权
代理组织机构	重庆航图知识产权代理事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了基于光纤包层涂覆敏感膜的光纤迈克尔逊干涉式硫化氢气敏传感器，将无截止波长光子晶体光纤两端分别与单模光纤端面进行熔接，靠近光源一端进行熔接拉锥，使得塌陷层较长并加强干涉，另一端正常熔接形成塌陷层并将单模光纤另一端连接法拉第旋光镜，从而形成迈克尔逊结构的传感器。将Cu/rGO敏感膜包覆于光子晶体光纤包层，本发明提供的传感器对硫化氢气体有明显的选择性，在硫化氢气体浓度为0‑70ppm范围内，随着被测气体浓度不断增大，其干涉光谱呈现明显红移，且线性度较好,其响应恢复时间分别为70s和88s。该传感器成本低、灵敏度高、选择性强、结构简单，适用于低浓度硫化氢气体灵敏性探测。

法律进度