• 专利申请
    2018-12-07
  • 公布公告
    2021-01-08
  • 授权日期
    2021-01-08
  • 终止
    2031-01-06
一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法
一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201811496649.1 2018-12-07 C23C18/12 {{ classMap["C23C18/12"] }}
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陕西省西安市未央区大学园1号
专利分类项目

C23C18/12 : 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

专利注册信息
初审公告期号 2018-12-07 初审公告日期 2021-01-08
注册公告期号 2021-01-08 注册公告日期 2021-01-08
专用权期限 2021-01-08 - 2031-01-06 专利类型 发明授权
代理组织机构 西安通大专利代理有限责任公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明提供一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法，化学式为Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3，其中，0.1≤x≤0.5，六方结构，空间群为P63cm。本发明的Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜是在YMnO3的A位掺杂稀土离子，B位掺杂过渡金属离子，实验证明Dy掺杂进入双棱锥结构的中间层和Cr掺杂抑制了Mn3+转变成Mn2+和Mn4+，最终使Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜内部结构发生畸变，而六方结构的畸变导致薄膜的漏电流机制由欧姆机制和空间电荷机制共存转变为单一欧姆机制，最终降低了漏电流密度。
法律进度

  • 2024-08-02 专利权的转移 登记生效日: 2024.07.16 专利权人由陕西科技大学变更为北京知产汇科技有限公司 国家或地区由中国变更为 ...

  • 2021-01-08 授权 ...

  • 2019-04-30 实质审查的生效 IPC(主分类): C23C 18/12 专利申请号: 201811496649.1 申请日: 2018. ...

  • 2019-04-05 公开 ...

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