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2030-08-02
少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法
专利纠错
* 专利信息仅供参考,不具有法律效力。
有效专利
CN201810029005.5
2018-01-12
B01J27/051 {{ classMap["B01J27/051"] }}
安徽省合肥市经开区莲花路1688号
专利分类项目
专利注册信息
| 初审公告期号 |
2018-01-12
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初审公告日期 |
2020-08-04 |
| 注册公告期号 |
2020-08-04
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注册公告日期 |
2020-08-04 |
| 专用权期限 |
2020-08-04 - 2030-08-02
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专利类型 |
发明授权 |
| 代理组织机构 |
常州兴瑞专利代理事务所
查看该机构代理的所有专利
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专利介绍
本发明公开了一种少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜的制备方法,方法的步骤中含有:(a)制备TiO2纳米薄膜;(b)制备Ag‑TiO2纳米复合薄膜;(c)制备少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜:对得到的Ag‑TiO2纳米复合薄膜进行紫外光照处理,处理结束后,然后至少进行二次少层MoS2修饰步骤,得到少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜;其中,每次少层MoS2修饰步骤中包括:在Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS2分散液,待少层MoS2分散液润湿Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面后,将少层MoS2分散液均匀涂覆于Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面,然后烘干处理。该方法制备过程简单,原材料成本相对较低,无毒,并且利用少层MoS2和Ag纳米颗粒的协同作用使得该薄膜具有较高的可见光催化降解效率,而且制备得到的薄膜易于回收和重复利用。
法律进度
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