• 专利申请
    2016-08-09
  • 公布公告
    2019-01-15
  • 授权日期
    2019-01-15
  • 终止
    2029-01-12
一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用
一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201610650085.7 2016-08-09 B01J27/051 {{ classMap["B01J27/051"] }}
河南工程学院 查看申请人名下所有专利
河南省郑州市新郑龙湖祥和路1号
专利分类项目

B01J27/051 : 钼

C01G39/06 : 硫化物

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息
初审公告期号 2016-08-09 初审公告日期 2019-01-15
注册公告期号 2019-01-15 注册公告日期 2019-01-15
专用权期限 2019-01-15 - 2029-01-12 专利类型 发明授权
代理组织机构 郑州优盾知识产权代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种多孔单层1T MoS 2纳米片的制备方法，步骤如下：（1）采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片；（2）采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离，得到多孔单层1T MoS2纳米片。本发明的1T MoS 2纳米片可直接用于电催化制氢，相对于其它结构MoS2，其电催化制氢性能得到快速提高，多孔的结构为该催化提供了更多的边缘，因此可以暴露更多的活性位点，这将有益于电催化制氢；单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积，可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构，单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力，有利于电子的传输和转移，进而加快电催化制氢速率。
法律进度

  • 2019-01-15 授权 ...

  • 2017-02-08 实质审查的生效 IPC(主分类): B01J 27/051 专利申请号: 201610650085.7 申请日: 2016 ...

  • 2017-01-11 公开 ...

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