• 专利申请
    2017-12-28
  • 公布公告
    2018-06-22
  • 授权日期
    2020-03-17
  • 终止
    2028-06-19
红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器
红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201711463462.7 2017-12-28 H01L31/109 {{ classMap["H01L31/109"] }}
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山西省大同市御河桥东水泊寺乡水泊寺村1602号
专利分类项目

H01L31/109 : 为PN异质结型势垒的

H01L31/0352 : 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的

H01L31/18 : 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备

专利注册信息
初审公告期号 2017-12-28 初审公告日期 2018-06-22
注册公告期号 2020-03-17 注册公告日期 2020-03-17
专用权期限 2018-06-22 - 2028-06-19 专利类型 发明公开
代理组织机构 常州佰业腾飞专利代理事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明提供的一种红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器，包括：衬底，所述衬底上具有缓冲层，所述缓冲层上具有第一间隔层，所述第一间隔层上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层和上方的第二间隔层，位于最上方的第二间隔层上具有金属层，所述金属层上具有阵列式通孔，所述衬底的背面为光线的入射面；本发明的结构和制造工艺较简单，且吸收率较高，适用于光电探测器领域。
法律进度

  • 2020-03-17 授权 ...

  • 2018-07-17 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 31/109 专利申请号: 201711463462.7 申请日: 2017 ...

  • 2018-06-22 公开 ...

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