• 专利申请
    2016-03-18
  • 公布公告
    2017-09-26
  • 授权日期
    2017-09-26
  • 终止
    2027-09-24
基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法
基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201610157070.7 2016-03-18 H01L31/109 {{ classMap["H01L31/109"] }}
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浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号
专利分类项目

H01L31/109 : 为PN异质结型势垒的

H01L31/18 : 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备

专利注册信息
初审公告期号 2016-03-18 初审公告日期 2017-09-26
注册公告期号 2017-09-26 注册公告日期 2017-09-26
专用权期限 2017-09-26 - 2027-09-24 专利类型 发明授权
代理组织机构 杭州求是专利事务所有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。
法律进度

  • 2017-09-26 授权 ...

  • 2016-08-03 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 31/109 专利申请号: 201610157070.7 申请日: 2016 ...

  • 2016-07-06 公开 ...

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