一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法[CN202310018251.1] - 南京科技职业学院

专利申请

2023-01-06
公布公告

2024-08-16
授权日期

2024-08-16
终止

2034-08-14

一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN202310018251.1 申请日期： 2023-01-06 专利主类别： C07F5/00 {{ classMap["C07F5/00"] }}

申请人名称：南京科技职业学院

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申请人地址：江苏省南京市江北新区欣乐路188号

专利分类项目

C07F5/00 : 含周期表第3或13族元素的化合物

C09K11/06 : 含有机发光材料

H01F1/42 : 有机材料的或有机磁性材料的

专利注册信息

初审公告期号	2023-01-06	初审公告日期	2024-08-16
注册公告期号	2024-08-16	注册公告日期	2024-08-16
专用权期限	2024-08-16 - 2034-08-14	专利类型	发明授权
代理组织机构	--

专利介绍

本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法。一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料，化学式为[Dy2(HL)2]·2CH3OH·CH3CN，其中HL为失去三个质子的2,9‑二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料晶体属于三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为a＝12.3932(6)Å，b＝15.0551(10)Å，c＝15.5316(10)Å，α＝91.075(3)°，β＝100.739(2)°，γ＝111.8726(19)°，V＝2629.8(3)Å3。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料具有单分子磁体特性，且制备方法简单、方便，产率高，重现性好，成本低，有望用于新型的磁存储材料。

法律进度