一种二重穿插的配位聚合物及其制备方法和应用[CN201610038107.4] - 辽宁大学

专利申请

2016-01-20
公布公告

2017-06-16
授权日期

2017-06-16
终止

2027-06-14

一种二重穿插的配位聚合物及其制备方法和应用

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201610038107.4 申请日期： 2016-01-20 专利主类别： C07F5/00 {{ classMap["C07F5/00"] }}

申请人名称：辽宁大学

查看申请人名下所有专利

申请人地址：辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号

专利分类项目

C07F5/00 : 含周期表第3或13族元素的化合物

C09K11/06 : 含有机发光材料

G01N21/64 : 荧光；磷光

专利注册信息

初审公告期号	2016-01-20	初审公告日期	2017-06-16
注册公告期号	2017-06-16	注册公告日期	2017-06-16
专用权期限	2017-06-16 - 2027-06-14	专利类型	发明授权
代理组织机构	沈阳杰克知识产权代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及一种二重穿插的配位聚合物及其制备方法和应用。采用的技术方案是：将In(NO3)3，有机配体4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸，N,N‑二甲基甲酰胺，乙腈和HNO3加入到容器中，于常温下搅拌；将容器密封后，置于烘箱中，于355K下，保持3‑4天；缓慢冷却到室温，得到白色晶体，洗涤、过滤并干燥，得到目标产物。本发明所制备的基于InⅢ的二重穿插的配位聚合物具有荧光活性，并且可以检测易爆炸的溶剂。

法律进度