• 专利申请
    2021-10-09
  • 公布公告
    2021-12-24
  • 授权日期
    2023-03-21
  • 终止
    2031-12-22
一种采用难熔高熵合金中间层放电等离子扩散连接碳化硅陶瓷的方法
一种采用难熔高熵合金中间层放电等离子扩散连接碳化硅陶瓷的方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202111175676.0 2021-10-09 B23K1/00 {{ classMap["B23K1/00"] }}
浙江工业大学 查看申请人名下所有专利
浙江省杭州市拱墅区潮王路18号
专利分类项目

B23K1/00 : 钎焊，如硬钎焊或脱焊

B23K1/20 : 工件或钎焊区的预处理，如电镀

B23K3/04 : 加热设备

B23K3/08 : 辅助装置

B23K35/02 : 其机械特征，如形状

B23K35/24 : 钎焊材料和焊接材料的适当选择

B23K35/40 : 钎焊或焊接用焊丝或焊条的制造

专利注册信息
初审公告期号 2021-10-09 初审公告日期 2021-12-24
注册公告期号 2023-03-21 注册公告日期 2023-03-21
专用权期限 2021-12-24 - 2031-12-22 专利类型 发明公开
代理组织机构 杭州浙科专利事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种采用难熔高熵合金中间层放电等离子扩散连接碳化硅陶瓷的方法，它是以难熔高熵合金TaxHfZrTi（其中x=0.51，Ta(at.%)=14.225%，Hf、Zr和Ti三种元素具有等摩尔量）作为中间层材料，通过SPS技术对两块待焊SiC陶瓷母材进行固相扩散焊接，从而获得SiC陶瓷焊接接头。本发明所获得的SiC接头在界面形成了高强度的(Ta,Hf,Zr,Ti)C高熵陶瓷相，避免了单一难熔金属扩散连接SiC陶瓷生成热膨胀系数较大的脆性硅化物，从而缓和了SiC接头的热失配，提高了接头强度，接头最大的室温剪切强度高达326.2±9.9 MPa，中间层硬度高达2552.1±357.1 HV，具有较高的高温环境下的工程实用价值。
法律进度

  • 2023-03-21 授权 ...

  • 2022-01-11 实质审查的生效 IPC(主分类): B23K 1/00 专利申请号: 202111175676.0 申请日: 2021.10. ...

  • 2021-12-24 公开 ...

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