• 专利申请
    2020-07-31
  • 公布公告
    2022-09-02
  • 授权日期
    2022-09-02
  • 终止
    2032-08-30
一维光子晶体传感器膜的应用
一维光子晶体传感器膜的应用
* 专利信息仅供参考,不具有法律效力。 有效专利
CN202010757452.X 2020-07-31 C08F220/56 {{ classMap["C08F220/56"] }}
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辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号
专利分类项目
专利注册信息
初审公告期号 2020-07-31 初审公告日期 2022-09-02
注册公告期号 2022-09-02 注册公告日期 2022-09-02
专用权期限 2022-09-02 - 2032-08-30 专利类型 发明授权
代理组织机构 大连智高专利事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明涉及一维光子晶体传感器膜的应用,属于光子晶体和分子印迹技术领域。主要技术方案如下:用光子晶体模板覆盖在前驱液上,置于紫外灯下引发聚合,待完全聚合后揭下膜,洗脱后即得具有一维光子晶体结构的分子印迹膜。根据一维光子晶体传感器膜制备的分子印迹膜的反射光谱变化可实现尼古丁的微量检测,根据不同浓度化学物质与分子印迹膜相互作用的反射光谱变化进行测定,可避免传统检测方法的繁琐步骤,并且所测的反射光谱变化明显,灵敏度较高便于观察。
法律进度
  • 2022-09-02 授权 ...

  • 2020-12-11 实质审查的生效 IPC(主分类): C08F 220/56 专利申请号: 202010757452.X 申请日: 2020.0 ...

  • 2020-11-24 公开 ...

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