一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法[CN202010250564.6] - 浙江工业大学

一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN202010250564.6 申请日期： 2020-04-01 专利主类别： H02N2/00 {{ classMap["H02N2/00"] }}

申请人名称：浙江工业大学

申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

专利注册信息

初审公告期号	2020-04-01	初审公告日期	2020-07-14
注册公告期号	2021-03-09	注册公告日期	2021-03-09
专用权期限	2020-07-14 - 2030-07-12	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州杭诚专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法，一种磁场驱动双稳态结构，包括双稳态层合板、用于驱动双稳态层合板变形的磁敏变形驱动器，所述磁敏变形驱动器固定在双稳态层合板表面。本发明采用提供一种磁场驱动双稳态结构及其制作方法，响应速度快、结构简单、控制简单便于操作，且制作简单。

法律进度

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