白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料及其制备方法[CN201910007392.7] - 安阳师范学院

专利申请

2019-01-04
公布公告

2020-10-02
授权日期

2020-10-02
终止

2030-09-30

白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201910007392.7 申请日期： 2019-01-04 专利主类别： H01G11/86 {{ classMap["H01G11/86"] }}

申请人名称：安阳师范学院

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申请人地址：河南省安阳市弦歌大道436号

专利分类项目

H01G11/86 : 特别适用于电极

H01G11/30 : 以它们的材料为特征的

H01G11/26 : 以它们的结构为特征的，如多层、多孔或表面特征

H01G11/24 : 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息

初审公告期号	2019-01-04	初审公告日期	2020-10-02
注册公告期号	2020-10-02	注册公告日期	2020-10-02
专用权期限	2020-10-02 - 2030-09-30	专利类型	发明授权
代理组织机构	郑州联科专利事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料及其制备方法，属于超级电容器电极材料制备技术领域。具体包括步骤：将一定量的硒粉和氢氧化钠溶液混合，在带有对位聚苯内衬的反应釜中水热处理配制成反应溶液；反应溶液自然冷却后，再将预处理的泡沫镍放入其中，进行二次水热处理。控制反应温度及时间，即可获得白玉菇状二硒化镍纳米阵列。所得电极材料具有优异的电化学性能，在电流密度为1.0A/g时的比电容可达到2357 F/g，即使在电流密度达到5 A/g时，其比电容仍可达到1290 F/g。

法律进度