一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法[CN201510451104.9] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2015-07-28
公布公告

2017-09-26
授权日期

2017-09-26
终止

2027-09-24

一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201510451104.9 申请日期： 2015-07-28 专利主类别： H01G11/86 {{ classMap["H01G11/86"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

H01G11/86 : 特别适用于电极

H01G11/24 : 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的

H01G11/32 : 碳基

H01G11/46 : 金属氧化物

专利注册信息

初审公告期号	2015-07-28	初审公告日期	2017-09-26
注册公告期号	2017-09-26	注册公告日期	2017-09-26
专用权期限	2017-09-26 - 2027-09-24	专利类型	发明授权
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。

法律进度