一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法[CN201810013898.4] - 浙江工业大学

专利申请

2018-01-08
公布公告

2019-11-05
授权日期

2019-11-05
终止

2029-11-02

一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201810013898.4 申请日期： 2018-01-08 专利主类别： G02B6/42 {{ classMap["G02B6/42"] }}

申请人名称：浙江工业大学

查看申请人名下所有专利

申请人地址：浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号

专利分类项目

G02B6/42 : 光波导与光电元件的耦合

G02B6/132 : 用薄膜沉积法

G02B6/13 : 以制作方法为特征的集成光路

专利注册信息

初审公告期号	2018-01-08	初审公告日期	2019-11-05
注册公告期号	2019-11-05	注册公告日期	2019-11-05
专用权期限	2019-11-05 - 2029-11-02	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州斯可睿专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，包括以下步骤：(1)通过热氧化法在硅晶片上生成氧化物层；(2)在步骤(1)的氧化物层上沉积一层牺牲层；(3)使用真空蒸发镀膜法，在步骤(2)的牺牲层上镀金属膜形成金属面屏；(4)在步骤(3)的金属面屏上旋转涂敷光刻胶；(5)对光刻胶进行紫外线曝光显影，形成插槽；(6)将光纤插入插槽并固定；(7)去除牺牲层，将光纤端面耦合器与硅晶片分离；(8)利用聚焦离子束刻蚀技术在金属面屏上加工出供微带探针装配的安装孔。本发明使得微带探针能够与传输光纤耦合连接，提高等离子体激元的激励能效，并大幅度降低系统调整难度，推进微带探针的实用化。

法律进度