覆膜光纤一氧化碳传感器的制作方法及其传感器和一氧化碳浓度的检测方法[CN201810001949.1] - 重庆理工大学

专利申请

2018-01-02
公布公告

2020-08-18
授权日期

2020-08-18
终止

2030-08-16

覆膜光纤一氧化碳传感器的制作方法及其传感器和一氧化碳浓度的检测方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201810001949.1 申请日期： 2018-01-02 专利主类别： G01N21/25 {{ classMap["G01N21/25"] }}

申请人名称：重庆理工大学

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申请人地址：重庆市巴南区李家沱红光大道69号

专利分类项目

G01N21/25 : 颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响

专利注册信息

初审公告期号	2018-01-02	初审公告日期	2020-08-18
注册公告期号	2020-08-18	注册公告日期	2020-08-18
专用权期限	2020-08-18 - 2030-08-16	专利类型	发明授权
代理组织机构	重庆博凯知识产权代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种覆膜光纤一氧化碳传感器的制作方法及其传感器和一氧化碳浓度的检测方法，利用光纤包层外所镀的敏感薄膜吸附一氧化碳气体来改变包层的有效折射率从而使干涉谱发生频移，以此达到气体浓度检测的目的。在0～100ppm的一氧化碳气体浓度范围内，随着浓度的增大，该传感器的光谱呈现蓝移现象，具有很好的线性度和选择性。本发明中的气体传感器制作容易，制作成本低，在加工过程中不易损坏，制作出来的气体传感器探测灵敏度高，响应时间快，还具有体积小、重量轻的优点。

法律进度