自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置[CN201710398054.1] - 浙江工业大学

专利申请

2017-05-31
公布公告

2022-06-24
授权日期

2022-06-24
终止

2032-06-21

自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201710398054.1 申请日期： 2017-05-31 专利主类别： E04H9/02 {{ classMap["E04H9/02"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号

专利分类项目

E04H9/02 : 抗地震或防地面下陷的

E04B1/98 : 防振动或震动

专利注册信息

初审公告期号	2017-05-31	初审公告日期	2022-06-24
注册公告期号	2022-06-24	注册公告日期	2022-06-24
专用权期限	2022-06-24 - 2032-06-21	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州浙科专利事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置，包括质量块，磁流变液阻尼单元，2个发电单元，滑动导轨；所述质量块的凹槽嵌于滑动导轨的中心凸台；所述质量块的滚轮轮缘中凹外凸，与滑动导轨的凸缘相配合，在辅助限位的同时使质量块沿导轨作往复运动；所述滑动导轨的一端设有第一挡板，另一端设有第二挡板；所述的2个发电单元的两端水平固定在第二挡板和质量块之上。本发明根据高塔设备振动频率的不同，压电晶片产生的电量也不一样，从而影响线圈产生的磁场强弱，最终直接导致磁流变液的阻尼大小，达到主动调节TMD振动频率至被控结构的自振频率区域内，达到有效的减振效果。

法律进度