一种低温硫化氢气敏材料及制备方法[CN201710052874.5] - 临沂大学

专利申请

2017-01-24
公布公告

2019-04-26
授权日期

2019-04-26
终止

2029-04-23

一种低温硫化氢气敏材料及制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201710052874.5 申请日期： 2017-01-24 专利主类别： G01N27/12 {{ classMap["G01N27/12"] }}

申请人名称：临沂大学

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申请人地址：山东省临沂市兰山区通达路18号

专利分类项目

G01N27/12 : 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

C25B1/00 : 无机化合物或非金属的电解生产

C25D5/54 : 非金属表面的电镀

C25D9/04 : 无机材料的

专利注册信息

初审公告期号	2017-01-24	初审公告日期	2019-04-26
注册公告期号	2019-04-26	注册公告日期	2019-04-26
专用权期限	2019-04-26 - 2029-04-23	专利类型	发明授权
代理组织机构	青岛发思特专利商标代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种低温硫化氢气敏材料及其制备方法，属于电化学技术领域。解决了现有气敏材料无法实现超低温极端条件下气体探测的问题，所述材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。制备方法包括(1)配置电解液；(2)以硅片或玻璃片为基底，在两铜箔片电极间滴加电解液；(3)在控温生长室内将电解液制冷结冰，放置20‑40分钟；(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积；(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗，得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。本发明可用于超低温极端条件下H2S气体的探测。

法律进度