• 专利申请
    2016-01-07
  • 公布公告
    2018-06-01
  • 授权日期
    2018-06-01
  • 终止
    2028-05-29
一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用
一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201610007502.6 2016-01-07 C25D9/04 {{ classMap["C25D9/04"] }}
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河南省郑州市新郑龙湖中山北路1号
专利分类项目

C25D9/04 : 无机材料的

C25D11/26 : 难熔金属或以其为基之合金的

C02F1/30 : 光照法

专利注册信息
初审公告期号 2016-01-07 初审公告日期 2018-06-01
注册公告期号 2018-06-01 注册公告日期 2018-06-01
专用权期限 2018-06-01 - 2028-05-29 专利类型 发明授权
代理组织机构 郑州优盾知识产权代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法：将TiO2纳米管阵列置于30 mL含KCl、(NH4)2MoS4和NH4Cl的乙二醇溶液中，采用循环伏安的方法将MoS2电沉积于TiO2纳米管阵列上，得到复合纳米材料MoS2/TiO2复合纳米管阵列。MoS2/TiO2纳米管阵列复合材料，由于MoS2是一种窄带隙半导体，因此将MoS2与宽带隙的TiO2复合就可以提高TiO2对可见光的吸收以及抑制光生电子和空穴复合的。本发明的催化剂可直接用于有机废水(如4‑硝基酚)的光催化处理，修饰了MoS2半导体颗粒的TiO2光催化剂相比于未修饰的，前者的光催化降解速率是后者1.81倍左右。
法律进度

  • 2018-06-01 授权 ...

  • 2016-04-27 实质审查的生效 IPC(主分类): C25D 9/04 专利申请号: 201610007502.6 申请日: 2016.0 ...

  • 2016-03-30 公开 ...

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