• 专利申请
    2014-05-12
  • 公布公告
    2016-08-31
  • 授权日期
    2016-08-31
  • 终止
    2026-08-29
三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法
三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法
* 专利信息仅供参考,不具有法律效力。 有效专利
CN201410198451.0 2014-05-12 C25D9/04 {{ classMap["C25D9/04"] }}
哈尔滨工业大学 查看申请人名下所有专利
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
专利分类项目
专利注册信息
初审公告期号 2014-05-12 初审公告日期 2016-08-31
注册公告期号 2016-08-31 注册公告日期 2016-08-31
专用权期限 2016-08-31 - 2026-08-29 专利类型 发明授权
代理组织机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,它涉及一种有序大孔薄膜的制备方法。本发明为了解决现有的制备三维有序大孔SnO2薄膜的方法中有序微结构不容易精确控制的技术问题。本方法如下:制备聚苯乙烯胶体晶体模板,使用直流电源,以锡片作为对比电极,以生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极,沉积,即得到三维有序大孔SnO2薄膜。本发明方法得到的是由纳米颗粒聚集的薄膜,三维有序大孔结构具有的连通大孔可以使锂电池中电解液快速渗入,能够使得电解液快速扩散,与活性物质进行反应。几纳米到几十纳米的孔壁能够使得锂离子的固相扩散程减小,可降低活性物质表面发生局部极化的现象。本发明属于锂离子电池的负极材料的制备领域。
法律进度
  • 2016-08-31 授权 ...

  • 2014-08-20 实质审查的生效 IPC(主分类): C25D 9/04 专利申请号: 201410198451.0 申请日: 2014.0 ...

  • 2014-07-23 公开 ...

同类专利
  • 离子液体/醇混合溶液体系中CIGS薄膜的电沉积制备方法

  • 离子液体中电沉积室温n型BiTeSe热电材料薄膜的制备方法

  • 一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用

  • 镁合金表面一步原位电沉积层状双氢氧化物涂层的方法

咨询该专利

您还可以
推荐专利
{{ v.name }}
取 消 确 定