• 专利申请
    2021-06-23
  • 公布公告
    2022-12-20
  • 授权日期
    2022-12-20
  • 终止
    2032-12-17
基于寄生体二极管导通损耗调节的SiCMOSFET结温平滑控制方法及系统
基于寄生体二极管导通损耗调节的SiCMOSFET结温平滑控制方法及系统
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202110700584.3 2021-06-23 H02M1/088 {{ classMap["H02M1/088"] }}
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广西壮族自治区桂林市市辖区金鸡路1号
专利分类项目

H02M1/088 : 用于对串联或并联半导体器件进行同时控制

专利注册信息
初审公告期号 2021-06-23 初审公告日期 2022-12-20
注册公告期号 2022-12-20 注册公告日期 2022-12-20
专用权期限 2022-12-20 - 2032-12-17 专利类型 发明授权
代理组织机构 重庆航图知识产权代理事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种基于寄生体二极管导通损耗调节的结温平滑控制方法及系统，通过评估MOSFET芯片稳态运行时平均结温；判断平均结温和/或基频结温波动幅度的改变量是否发生变化，如果否，则无需采取结温控制措施；如果是，则采取结温控制措施，所述结温控制措施是改变寄生体二极管的持续电流时间；评估MOSFET芯片的实际平均结温，直到实际平均结温符合预设阈值，结束结温控制措施。本发明提出的基于寄生体二极管导通时间调节的SiC MOSFET的结温控制方法，通过控制MOSFET寄生体二极管的导通时间，在不增加其他辅助器件的基础上，可以实现器件结温波动的平滑控制，同时提高器件的可靠性，增加器件的使用寿命，降低了器件使用成本。
法律进度

  • 2022-12-20 授权 ...

  • 2021-10-15 实质审查的生效 IPC(主分类): H02M 1/088 专利申请号: 202110700584.3 申请日: 2021.06 ...

  • 2021-09-24 公开 ...

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