• 专利申请
    2021-02-06
  • 公布公告
    2021-12-10
  • 授权日期
    2023-05-26
  • 终止
    2031-12-08
一种新型mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺
一种新型mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202110186905.2 2021-02-06 B32B37/06 {{ classMap["B32B37/06"] }}
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四川省德阳市旌阳区嘉陵江西路4号
专利分类项目

B32B37/06 : 以加热方法为特征的

B32B37/10 : 以压制技术为特征，例如，使用真空或流体压力的直接作用

B32B27/36 : 由聚酯组成的

B32B27/06 : 作为薄层的主要或惟一的成分，它与另一层由一种特定物质构成的薄层相贴

B32B33/00 : 以特殊性质或特殊表面特性，如特殊表面涂层为特征的层状产品（表面不平整度或不均匀性入B32B 3/00）；不包含在其他单独一个大组中的、为特殊目的设计的层状产品

C08K3/14 : 碳化物

C08L27/16 : 偏二氟乙烯的均聚物或共聚物

专利注册信息
初审公告期号 2021-02-06 初审公告日期 2021-12-10
注册公告期号 2023-05-26 注册公告日期 2023-05-26
专用权期限 2021-12-10 - 2031-12-08 专利类型 发明公开
代理组织机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种新型mxenes聚合物介电复合材料，所述介电复合材料由作为填料的Ti3C2Tx与作为基质的P(VDF‑TrFE)组成，所述Ti3C2Tx占介电复合材料的8‑12wt.％；一种新型mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，采用Ti3C2Tx与P(VDF‑TrFE)混合后浇筑成膜，并将两薄膜采用PC热压制成新型mxenes聚合物介电复合材料。采用本发明的一种新型mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺，具有高介电常数和低介电损耗的特性。
法律进度

  • 2023-05-26 授权 ...

  • 2021-12-28 实质审查的生效 IPC(主分类): B32B 37/06 专利申请号: 202110186905.2 申请日: 2021.02 ...

  • 2021-12-10 公开 ...

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