• 专利申请
    2020-12-29
  • 公布公告
    2021-04-27
  • 授权日期
    2022-06-28
  • 终止
    2031-04-25
一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构
一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202011598325.6 2020-12-29 H01L29/06 {{ classMap["H01L29/06"] }}
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浙江省杭州市拱墅区湖州街51号
专利分类项目

H01L29/06 : 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的

H01L27/02 : 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

专利注册信息
初审公告期号 2020-12-29 初审公告日期 2021-04-27
注册公告期号 2022-06-28 注册公告日期 2022-06-28
专用权期限 2021-04-27 - 2031-04-25 专利类型 发明公开
代理组织机构 杭州九洲专利事务所有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明涉及一种碳化硅元胞级功率集成芯片结构，包括：P型衬底、P外延层、横向漂移区、MOSFET器件、二极管器件和隔离区；P型衬底上设有P外延层，P外延层上设有两个横向漂移区，两个横向漂移区之间设有隔离区；其中一个横向漂移区上设有横向MOSFET器件，另一个横向漂移区上设有横向二极管器件。本发明的有益效果是：在碳化硅元胞级功率集成芯片的基础上引入一种介于N‑Drift横向漂移区与P‑Layer纵向耐压区的N型结构，减小纵向耗尽层在N型层的扩展，阻止耗尽层边界扩展到二极管阳极，避免发生器件纵向穿通；从纵向耐压的角度来看，有效地解决了阳极对参考地有较高的压降导致的纵向穿通问题。
法律进度

  • 2022-06-28 授权 ...

  • 2021-05-14 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 202011598325.6 申请日: 2020.12 ...

  • 2021-04-27 公开 ...

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