• 专利申请
    2020-11-16
  • 公布公告
    2023-03-03
  • 授权日期
    2023-03-03
  • 终止
    2033-02-28
一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用
一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202011276440.1 2020-11-16 B01J27/228 {{ classMap["B01J27/228"] }}
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上海市浦东新区金海路2360号
专利分类项目

B01J27/228 : 含磷、砷、锑或铋

B01J35/10 : 以其表面性质或多孔性为特征的

C02F1/30 : 光照法

C02F101/30 : 有机化合物

专利注册信息
初审公告期号 2020-11-16 初审公告日期 2023-03-03
注册公告期号 2023-03-03 注册公告日期 2023-03-03
专用权期限 2023-03-03 - 2033-02-28 专利类型 发明授权
代理组织机构 上海正旦专利代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用；本发明的SiC基光催化剂的基底材料为一种利用废弃光伏硅片制备的纳米SiC，在基底材料的表面负载Ag3PO4/M‑PO4(M:Co、Mn、Fe等)。本发明采用碳热还原法制备纳米SiC，进而以所得的纳米SiC为基底采用液相沉淀法负载Ag3PO4/M‑PO4。本发明合成方法操作简单，可实现废弃光伏硅片的原位回收和循环利用，制得的催化剂还可用于废水中染料的降解。
法律进度

  • 2023-03-03 授权 ...

  • 2021-02-26 实质审查的生效 IPC(主分类): B01J 27/228 专利申请号: 202011276440.1 申请日: 2020.1 ...

  • 2021-02-05 公开 ...

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