• 专利申请
    2020-06-16
  • 公布公告
    2024-03-01
  • 授权日期
    2024-03-01
  • 终止
    2034-02-27
一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管
一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202010546031.2 2020-06-16 H01L29/06 {{ classMap["H01L29/06"] }}
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陕西省西安市碑林区金花南路5号
专利分类项目

H01L29/06 : 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的

H01L29/417 : 通有待整流、放大或切换电流的

H01L29/45 : 欧姆电极

H01L29/872 : 肖特基二极管

专利注册信息
初审公告期号 2020-06-16 初审公告日期 2024-03-01
注册公告期号 2024-03-01 注册公告日期 2024-03-01
专用权期限 2024-03-01 - 2034-02-27 专利类型 发明授权
代理组织机构 西安弘理专利事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开的一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，包括材料为n型SiC的衬底，衬底一面依次外延有缓冲层、漂移区、沟道扩展区，沟道扩展区上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽，每个阳极沟槽侧壁和底端均外延p+结区，沟道扩展区上最高面外延p型接触区，p+结区、p型接触区上覆盖连接欧姆接触阳极，衬底另一面覆盖连接欧姆接触阴极；本发明一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管通过在沟道区与阳极之间设置超薄p型接触区，避免了传统碳化硅单极二极管需要同时兼顾阳极与p型、n型碳化硅之间的接触问题，简化了电极制作工艺，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。
法律进度

  • 2024-03-01 授权 ...

  • 2020-11-20 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 202010546031.2 申请日: 2020.06 ...

  • 2020-11-03 公开 ...

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