• 专利申请
    2019-12-25
  • 公布公告
    2020-05-15
  • 授权日期
    2022-06-21
  • 终止
    2030-05-13
硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法
硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201911352014.9 2019-12-25 C23C16/26 {{ classMap["C23C16/26"] }}
浙江工业大学 查看申请人名下所有专利
浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处
专利分类项目

C23C16/26 : 仅沉积碳

C23C14/48 : 离子注入

C23C14/58 : 后处理

C23C28/04 : 仅为无机非金属材料覆层

专利注册信息
初审公告期号 2019-12-25 初审公告日期 2020-05-15
注册公告期号 2022-06-21 注册公告日期 2022-06-21
专用权期限 2020-05-15 - 2030-05-13 专利类型 发明公开
代理组织机构 杭州天正专利事务所有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石-石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD-G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。
法律进度

  • 2022-06-21 授权 ...

  • 2020-06-09 实质审查的生效 IPC(主分类): C23C 16/26 专利申请号: 201911352014.9 申请日: 2019.12 ...

  • 2020-05-15 公开 ...

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