• 专利申请
    2019-06-28
  • 公布公告
    2019-09-27
  • 授权日期
    2021-12-21
  • 终止
    2029-09-24
一种具有侧边PN结的复合光电探测器及其制作方法
一种具有侧边PN结的复合光电探测器及其制作方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201910575712.9 2019-06-28 H01L27/144 {{ classMap["H01L27/144"] }}
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湖南省长沙市岳麓区麓山南路
专利分类项目

H01L27/144 : 由辐射控制的器件

H01L31/0352 : 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的

H01L31/18 : 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备

专利注册信息
初审公告期号 2019-06-28 初审公告日期 2019-09-27
注册公告期号 2021-12-21 注册公告日期 2021-12-21
专用权期限 2019-09-27 - 2029-09-24 专利类型 发明公开
代理组织机构 湘潭市汇智专利事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器，包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱内设有环形N阱，环形N阱中通过光刻、注入磷离子形成环形的N+阳极；环形N阱内设有中心圆形P阱，环形N阱与中心圆形P阱形成侧边二极管的感光结构，中心圆形P阱中设有N型TFET结构。本发明通过环形N阱与中心圆形P阱形成的侧边二极管结构作为感光区域，同时利用中心圆形P阱内的隧穿场效应晶体管结构，加快了器件的工作频率。本发明还公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器的制作方法。
法律进度

  • 2021-12-21 授权 ...

  • 2019-10-29 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 27/144 专利申请号: 201910575712.9 申请日: 2019.0 ...

  • 2019-09-27 公开 ...

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