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2032-10-29
一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料制备方法
专利纠错
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。
有效专利
CN201910468004.5
2019-05-31
C01B33/021 {{ classMap["C01B33/021"] }}
河北省承德市高新技术产业开发区学院路2号
专利分类项目
专利注册信息
| 初审公告期号 |
2019-05-31
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初审公告日期 |
2022-11-01 |
| 注册公告期号 |
2022-11-01
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注册公告日期 |
2022-11-01 |
| 专用权期限 |
2022-11-01 - 2032-10-29
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专利类型 |
发明授权 |
| 代理组织机构 |
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专利介绍
本发明提供了一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3‑5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。
法律进度
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