一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法[CN201910265560.2] - 杭州电子科技大学

专利申请

2019-04-03
公布公告

2019-07-23
授权日期

2021-10-22
终止

2029-07-20

一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201910265560.2 申请日期： 2019-04-03 专利主类别： G01N21/65 {{ classMap["G01N21/65"] }}

申请人名称：杭州电子科技大学

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申请人地址：浙江省杭州市江干区下沙高教园区

专利分类项目

G01N21/65 : 喇曼散射

专利注册信息

初审公告期号	2019-04-03	初审公告日期	2019-07-23
注册公告期号	2021-10-22	注册公告日期	2021-10-22
专用权期限	2019-07-23 - 2029-07-20	专利类型	发明公开
代理组织机构	杭州杭诚专利事务所有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4-MBA探针分子的TiO2薄膜，在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成，以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑，将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷，通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境，以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。

法律进度