• 专利申请
    2018-11-05
  • 公布公告
    2019-03-15
  • 授权日期
    2020-06-02
  • 终止
    2029-03-12
使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法
使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201811306326.1 2018-11-05 C01B33/18 {{ classMap["C01B33/18"] }}
浙江工业大学 查看申请人名下所有专利
浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号
专利分类项目

C01B33/18 : 既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备；其后处理

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

专利注册信息
初审公告期号 2018-11-05 初审公告日期 2019-03-15
注册公告期号 2020-06-02 注册公告日期 2020-06-02
专用权期限 2019-03-15 - 2029-03-12 专利类型 发明公开
代理组织机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
一种使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法，包括以下步骤：1)气相二氧化硅是通过高温水解四氯化硅制备而得的，二氧化硅的比表面积为300m2/g，颗粒的平均尺寸为7-10nm；2)对气相二氧化硅并进行表面改性，以液态聚甲基苯基硅氧烷作为改性剂，在180-320℃温度范围内对气相二氧化硅修饰1小时，硅树脂的用量为二氧化硅重量的15-20％。本发明提供了一种降低成本、二氧化硅粉末的比表面较大且颗粒尺寸较小的使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法。
法律进度

  • 2020-06-02 授权 ...

  • 2019-04-09 实质审查的生效 IPC(主分类): C01B 33/18 专利申请号: 201811306326.1 申请日: 2018. ...

  • 2019-03-15 公开 ...

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