• 专利申请
    2017-10-16
  • 公布公告
    2020-04-07
  • 授权日期
    2020-04-07
  • 终止
    2030-04-05
一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法
一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201710961287.8 2017-10-16 H01L51/46 {{ classMap["H01L51/46"] }}
浙江理工大学 查看申请人名下所有专利
浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
专利分类项目

H01L51/46 : 材料的选择

H01L51/42 : 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制

H01L51/48 : 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备

B82Y30/00 : 用于材料和表面科学的纳米技术，例如：纳米复合材料

B82Y40/00 : 纳米结构的制造或处理

专利注册信息
初审公告期号 2017-10-16 初审公告日期 2020-04-07
注册公告期号 2020-04-07 注册公告日期 2020-04-07
专用权期限 2020-04-07 - 2030-04-05 专利类型 发明授权
代理组织机构 南京正联知识产权代理有限公司 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明属于光电探测器领域，具体涉及一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法，包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO导电玻璃，所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。本发明制备的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结具有大的比表面积，对光吸收强，能实现宽光谱探测，为构建高性能的光电探测器提供一种行之有效的方法，且该制备方法操作简单、成本便宜、重复性好，在未来的光电领域一定有巨大的应用前景。
法律进度

  • 2024-08-09 开放许可声明 IPC(主分类): H01L 51/46 声明编号: XK2024980004495 专利号: ZL 2017 ...

  • 2020-04-07 授权 ...

  • 2018-04-13 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 51/46 专利申请号: 201710961287.8 申请日: 2017. ...

  • 2018-03-20 公开 ...

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