一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法[CN201710329080.9] - 陕西师范大学

专利申请

2017-05-11
公布公告

2019-06-28
授权日期

2019-06-28
终止

2029-06-25

一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201710329080.9 申请日期： 2017-05-11 专利主类别： H01L51/42 {{ classMap["H01L51/42"] }}

申请人名称：陕西师范大学

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申请人地址：陕西省西安市长安南路199号

专利分类项目

H01L51/42 : 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制

H01L51/48 : 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备

专利注册信息

初审公告期号	2017-05-11	初审公告日期	2019-06-28
注册公告期号	2019-06-28	注册公告日期	2019-06-28
专用权期限	2019-06-28 - 2029-06-25	专利类型	发明授权
代理组织机构	西安永生专利代理有限责任公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。

法律进度