一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法[CN201610620605.X] - 浙江理工大学

专利申请

2016-07-29
公布公告

2018-10-26
授权日期

2018-10-26
终止

2028-10-23

一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201610620605.X 申请日期： 2016-07-29 专利主类别： G01N27/48 {{ classMap["G01N27/48"] }}

申请人名称：浙江理工大学

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申请人地址：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街5号

专利分类项目

G01N27/48 : 用极谱法，即缓慢改变电压时测量电流的变化

专利注册信息

初审公告期号	2016-07-29	初审公告日期	2018-10-26
注册公告期号	2018-10-26	注册公告日期	2018-10-26
专用权期限	2018-10-26 - 2028-10-23	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州天勤知识产权代理有限公司查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明公开了一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法，包括以下步骤：(1)将待检样品与缓冲液混合得到pH值为3.6～6.0的待测液；(2)以有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极作为工作电极，恒电压法富集待测液中的铅离子，富集电压为‑0.8V～‑0.6V；(3)将完成富集的电极置于空白的pH值为3.6～6.0的缓冲液中，利用微分脉冲伏安法测得峰电流值，根据标准曲线计算待检样品中的铅离子浓度；所述微分脉冲伏安法扫描的起始电位为‑0.95V～‑0.65V，终止电位为‑0.4V～0.5V。本发明检测方法可实现对痕量铅离子的检测，在实际样品的检测尤其是生物复杂样品的检测中具有潜在应用价值。

法律进度