一种高S含量的P，S，N共掺杂的介孔碳材料的合成方法及其应用[CN201610311775.X] - 浙江工业大学

专利申请

2016-05-11
公布公告

2018-06-12
授权日期

2018-06-12
终止

2028-06-09

一种高S含量的P，S，N共掺杂的介孔碳材料的合成方法及其应用

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201610311775.X 申请日期： 2016-05-11 专利主类别： C01B32/05 {{ classMap["C01B32/05"] }}

申请人名称：浙江工业大学

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申请人地址：浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学

专利分类项目

C01B32/05 : 不包括在C01B 32/15，C01B 32/20，C01B 32/25，C01B 32/30中的碳的制备或纯化

H01M4/133 : 基于碳材料的电极，例如石墨层间化合物或CFx的

H01M4/96 : 碳基电极

H01G11/32 : 碳基

专利注册信息

初审公告期号	2016-05-11	初审公告日期	2018-06-12
注册公告期号	2018-06-12	注册公告日期	2018-06-12
专用权期限	2018-06-12 - 2028-06-09	专利类型	发明授权
代理组织机构	杭州浙科专利事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

本发明涉及一种高S含量的P，S，N共掺杂的介孔碳材料的合成方法及其应用。其制备方法如下：以2‑氨基噻唑和磷酸二氢钠为原料，ZnCl2为溶剂和催化剂，放在管式炉中高温碳化一步法得到高S含量的P,S,N共掺杂的介孔碳材料SNPPC，其中SNPPC‑800比表面积高达1122.46m2/g，孔径在20‑50nm之间，含硫量高达12.58%，SNPPC‑800相比于低S的SNPC展示了优异的锂电性能、氧还原性能和超级电容器性能。此外，这种方法操作简单、收率较高，具有较为广阔的应用前景。

法律进度